DRAM记忆体发明人RobertDennard于2024年4月23日逝世，享寿91岁。
IBM官网指出，RobertDennard于1932年9月5日出生于美国德州特雷尔，1958年获卡内基理工学院电气工程博士学位，加入IBM担任研究员。早年任职IBM，研究金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）设计和电路应用，1960年代记忆体需求日渐提升，主流磁芯随机存取记忆体却面临密度、成本、性能极限。
RobertDennard从事金属氧化物半导体（MOS）记忆体开发，但速度过慢、消耗过大晶片面积，偶然下RobertDennard脑中浮现灵感，觉得可用单电晶体电容器带电正负记录数据，反复充电达成数据动态更新，测试成功后就是日后DRAM记忆体的基础。
RobertDennard和IBM于1968年获得了DRAM专利，该技术在1970年投入商用后，以其低成本、低功耗、结构简单的优势使磁芯随机存取记忆体迅速退出市场，并推动了资讯电信技术的快速进步。另外，DRAM记忆体还与第一批低成本微处理器一同加速了电脑的小型化，以AppleII为代表的早期个人电脑得以在商业上获得成功，也为现在的行动设备打开了市场。
RobertDennard还提出著名的登纳德缩放定律，电晶体越来越小，功率密度将保持不变，因此功率消耗与面积成反比，电压和电流与长度成反比。这条规律统治半导体业界30多年，与摩尔定律、阿姆达尔定律并称半导体产业三大定律。
